吕志勤

姓名:吕志勤

电话:13607175552

职称:博士后

邮箱:lvzhiqin@hust.edu.cn

个人基本情况

    吕志勤(Lyu Zhiqin,Postdoctor大学的本科期间,系统学习了自动化方面的理论知识,并以优异的成绩完成了相关的课程,为以后的学习和工作打下了坚实的专业知识基础。

2003年在深圳万润科技有限公司担任研究员期间,主要从事小功率白光LED合成、倒装大功率LED芯片封装的研究,积累了较为丰富的白光LED合成和封装结构设计经验,成为了公司的技术骨干。

2005年就读华中科技大学,硕博期间持续的研究方向是半导体照明器件和Si基蓝光LED外延,共取得了相邻小面完全聚合和不完全聚合的半极性(11-22)GaNInGaN多量子阱发光特性的影响“HT- AlN/AlxGa1-xN复合插入层对GaN外延薄膜的影响蓝宝石半极性面InGaN量子阱的发光特性等方面的理论研究成果,在SCIEI等核心刊物上发表论文4篇,形成专利成果4项。

    2015年正式入职华中科技大学机械工程与科学学院,开展博士后研究工作,研究方向为“GaN基高功率半导体器件”。

主要研究方向

GaN基高功率半导体器件

开设课程

近年的科研项目、专著与论文、专利、获奖

代表性论文

1.   Lianshan Wang, Zhiqin lv, Sheng Liu, ZhechuanFeng. Shallow–Deep InGaN Multiple-Quantum-Well System for Dual-                 Wavelength Emission Grown on Semipolar (11-22) Facet GaN.2011. (SCI) 

2.   Zhiqin lv, Lianshan Wang, Sheng Liu. Structure of interlayer on Si(111) substrate effect on GaN film.2012.(EI)

3.   Zhiqin lv, Lianshan Wang. AlN: Si buffer layer on Si(111) substrate effect on GaN film.2012. (EI)

4.   Zhiqin lv, Lianshanwang. Photoluminescence investigation of aInGaN multiple quantum well structure grown on the semi-                polar (11 EQ \o \al(2,¯,)2) facet of GaN. 2012.(SCI)

5.   Zhiainlv, hanyan .adsorption and diffusion of gallium nitride on strained graphene surfaceCar-Parrinello calculations.2016.


发明与专利:

1.   一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统专利号:ZL 2012  2 0092553.0

2.   一种LED防爆灯   专利号:ZL 2012 2 0105127.6

3.   一种LED四原色发光二极管显示灯珠专利申请号:201420143805.7

4.   基于分立式无限电缆供给的LED灯具专利号:ZL 2013 2 0153886.4

5.   基于可见光传输时间的VLC定位方法和装置专利申请号:201610555071.7

6.   一种基于载波相位测量的可见光通讯室内定位装置;专利号:201720152033.7

7.   一种基于载波相位测量的可见光通讯室内定位装置及方法;专利号:201710090138.9