[设备]原子沉积系统Picosun

作者:       发布于:2016-04-05 08:00:00       浏览次数:1939次

中文名称:

原子沉积系统Picosun

英文名称

Atomic Layer Deposition System(ALD)

仪器编号:

01222011

仪器型号:

SUNALETM R-200 Series

生产厂家:

芬兰PicosunTM

放置位置:

柔性电子制造实验室

  功能介绍    

Picosun ALD设备功能强大且多元化,不仅具有沉积单一的薄膜、纳米叠层与梯度薄膜、掺杂质多组分薄膜、三元薄膜等功能,同时沉积的薄膜能够得到极度均匀性和高度重复性,具有在复杂基底上、苛刻环境中进行沉积的能力。用以研究不同功能材料在原子层次的厚度变化对其电学、光学和机械等性质变化的影响。

  主要技术参数 

·工艺温度:50 – 500 °C, 可选更高温度

·基片传送选件:气动升降(手动装载)

·预真空室安装磁力操作机械手(Load lock )

·独立的前驱体

·可兼顾液态、固态、气态、臭氧源多种不同的化学源

·4根独立源管线,最多加载6个前驱体源

·尺寸 (W x H x D):189 cm x 206 cm x 111 cm ;重量:350 kg

·衬底尺寸和类型:50 – 200 mm /单片,最大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺),156 mm x 156 mm 太阳能硅片。

·复杂表面衬底,粉末与颗粒,多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品。

  应用图例 

PICOSUN™ SUNALE™ R-200能够沉积高质量薄膜,即使衬底结构十分复杂,如多孔材料、高深宽比的沟槽或者纳米颗粒, 沉积的薄膜均匀性也极其优异。Picosun功能强大、易更换的固、液、气态前驱体输运系统确保可以在硅平面基片,3D复杂基片及所有纳米尺度的特征器件上制备无颗粒的薄膜。

  该设备研究应用成果 

ALD方法合成新型汽车尾气多元催化剂纳米颗粒

ALD方法制备致密均匀的纳米薄膜

项目支撑情况:国家重大基础研究发展计划项目(2013CB934800)、国家自然科学基金项目(51101064