我院陈蓉教授受邀赴比利时参加第四届“选择性沉积ASD” 研讨会

作者:曹坤 编辑:吴仰天       发布于:2019-04-25 11:27:19       浏览次数:

44日至45日,第四届“选择性沉积”研讨会(Area Selective Deposition Workshop 2019)在比利时鲁汶市(Leuven, Belgium)微电子研究中心IMECInteruniversity Microelectronics Centre)举行,本次会议会议由IMECASM联合举办。

此次研讨会上,我院数字制造装备与技术国家重点实验室教授陈蓉受邀进行了题为“Bimetallic nanocomposite catalysts fabricated by area selective atomic layer deposition and applications(基于区域选择性原子层沉积的双金属复合纳米催化剂可控制备与应用)大会报告,介绍了利用课题组在选择性原子层沉积技术在纳米结构可控制备方面的最新进展,利用基底吸附能与前驱体键合能作为共同内禀驱动力,提升纳米颗粒晶面与原子台阶位的定位沉积精度,应用于催化剂反应活性位点精细调控与性能提升方面。发展的选择性原子层沉积技术有望适用于微电子制造自对准薄膜生长,提升定位精度,简化制程。报告得到了与会专家学者的广泛关注和兴趣,引起了热烈的讨论。国际ALD Academy两位创始人之一、荷兰埃因霍芬理工大学纳米制造中心主任、ASML高级顾问Kessels教授认为相关工作“提供了纳米尺度调控新方法,首次展示了独特的选择性原子层沉积法在自下而上纳米制造中原子级的可控精度。荷兰ASML、美国Lam Research等也均希望能就选择性沉积方法和工艺,与华科建立合作。

IMEC成立于1984年,总部设在比利时鲁汶,其研究方向主要集中在微电子、纳米技术、辅助设计方法、以及信息通讯系统技术(ICT)、IMEC 致力于集成信息通讯系统设计、硅加工工艺、硅制程技术和元件整合等。作为全球微电子制造在技术节点走在最前沿,且纳米电子和数字技术领域世界领先的研发创新中心, IMEC通过精密光刻技术不断缩短芯片上电路与电路之间的距离,提高通信效率和运算速度,目前已经生产出3纳米的芯片,迄今为止是世界最高水平。201810月,李克强总理在比利时出席亚欧首脑会议间隙,在比利时副首相兼经济大臣皮特斯陪同下,专门抽出时间,从布鲁塞尔来到鲁汶市,参观考察IMEC,并详细了解高精度纳米芯片的投产时限、能效和在民生领域应用等情况。

本研究工作得到了国家自然科学基金(51702106, 51835005)的资助。