美国英特尔(Intel)公司李力一博士来我院交流访问

作者:陈明祥 彭洋 编辑:吴仰天       发布于:2018-02-05 22:28:04       浏览次数:

25日上午,应我院工艺与装备系陈明祥教授邀请,美国英特尔公司制造技术部(TMG)李力一博士来我院进行学术交流,并作了题为具有高深宽比均匀结构的金属辅助化学刻蚀硅技术及其电子封装技术应用(Uniform High-aspect-ratio Metal-assisted Chemical Etching on Si for Advanced Electronic Packaging and Applications的学术报告。

报告中,李博士首先分析了硅片刻蚀技术的发展及现有技术的不足,并介绍了一种新型硅微加工技术-金属辅助化学刻蚀(MaCE),通过制备具有多孔结构的贵金属(如金、银、铂等)薄膜作为催化剂,在电化学作用下,实现了硅片的可控刻蚀(包括位置、方向、速度等,而在此之前,业界普遍认为MaCE技术是不可控的,没有应用价值)。由于MaCE技术具有设备简单,工艺成本低、适合批量生产等特点,可广泛应用于三维封装通孔硅(TSV)结构制备及MEMS器件加工。此外,李博士还介绍了英特尔公司在先进电子封装领域的最新研究成果。

来自机械学院、材料学院、光电学院、能动学院的20多位师生聆听了本次报告。报告结束后,李博士与在场师生进行了深入交流,从而进一步丰富了大家对MaCE技术及其应用方面的认识。


【报告人简介】

李力一,男,1989年生。2011年本科毕业于北京大学化学系,2016年博士毕业于美国佐治亚理工学院材料系,师从C. P. Wong 院士。目前担任美国Intel公司TMG实验室材料与失效分析高级工程师。研究领域包括有机电子、硅微纳制造技术、先进电子封装材料与失效分析等,在Nano LetterNano energy等期刊发表学术论文30多篇,申请发明专利5项。

李博士攻读博士学位期间主要研究金属辅助化学刻蚀技术(MaCE),采用具有多孔结构的金属薄膜作为催化剂,在硅材料内部通过湿法刻蚀制备微/纳米结构,是一种高效的、高深宽比微纳结构制备技术,可应用于TSV结构(三维封装)和MEMS器件制备。