[设备]双面对准曝光机

  功能介绍    

可以实现各种非标准基片曝光、复杂微纳图案、正反双面曝光、制备微电子器件、多层硅通孔器件、柔性电子器件、MEMS器件。

  主要技术参数 

·350W近紫外光源(365nm/405nm/436nm)，具有恒定光强与恒定功率两种控制模式可调节。

·均匀光束面积不小于6英寸。

·光强均匀性：<±1% 直径 2”区域；<±2% 直径 4”区域；<±3% 直径 6”区域

·输出强度：365 nm光强输出强度＞20mW/cm2；或400 nm光强输出强度＞40mW/cm2

·光学系统具抗反射涂层以及消除衍射效应的功能。

·设备本身具有365nm线与400nm线光强探测功能以及反馈调节功能。

·光束发散半角不大于2°

·具有安全报警和自我保护功能。

·具有三种曝光模式：硬接触，软接触，间隙式。

·支持正胶，负胶SU8等厚胶工艺

·在一微米厚度的正胶条件下线宽制备能力：<0.5μm ——硬接触；  <0.8μm——软接触；<1μm——间隔50微米；  <2μm——间隔100微米

·正面对准精度优于±1.0μm，背面对准精度优于±2.0μm

·采用双CCD对位系统，图像放大倍率在100倍-850倍范围内连续可调。

·能完成最小到15mm晶圆双目双视场的同时对准。

·通过更换夹具能完成4-6英寸晶圆的光刻。

·系统应具备电控和启动的控制操作面板。

  应用图例 

应用于半导体光刻工艺制程、光波导、光栅、微机电MEMS、LD、二极管芯片、发光二极体（LED）芯片制造、显示面板LCD、光电器件、纳米压印以及电子封装等诸多领域。